強誘電性キャパシタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264735
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 FRAMにメモリセルとして用いられる強誘電性キャパシタを提供する。【解決手段】基板10と、前記基板10上に形成される絶縁層20と、前記絶縁層20上に備えられるRh下部電極40と、前記絶縁層20と前記下部電極40との間に介される接着層30と、前記Rh下部電極40上に備えられる強誘電体層50と、前記強誘電体層50上に備えられるRh上部電極60とを具備することにより、本発明の強誘電性キャパシタは、電極素材として用いられるRhが既存の電極として用いられるPtに比して組織が緻密なので接着層の素材として用いられるTiの拡散に非常に強く、かつ電気伝導度、熱伝達及び電気的特性が優秀である。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に備えられるRh下部電極と、前記絶縁層と前記Rh下部電極との間に介される接着層と、前記Rh下部電極上に備えられる強誘電体層と、前記強誘電体層上に備えられるRh上部電極とを具備することを特徴とする強誘電性キャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (15件)

強誘電体コンデンサ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-099773 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198422 出願人：オリンパス光学工業株式会社
強誘電体薄膜形成用電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-270010 出願人：株式会社豊田中央研究所

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