電子部品

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072677
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274270
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】強誘電体薄膜の信頼性・耐久性に優れた電子部品を提供することを目的とする。【構成】ドレイン領域13上にドレイン電極15が形成され、この上に下部電極16・強誘電体薄膜17・上部電極18が順に積層されている。下部電極16は、PtSi膜161 ・PtO2 膜162 ・Pt膜163 からなり、上部電極18はPtO2 膜181 ・Pt膜182 からなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、Pbを含む強誘電体薄膜を介して形成された1対の電極を備えた電子部品において、前記電極がV、Cr、Rh、Ptの少なくとも1種を含むルチル型導電性酸化物を含有することを特徴とする電子部品。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-085878
半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-178614 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216891 出願人：株式会社日立製作所

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