特許
J-GLOBAL ID：200903008383934385
フリップチップ接合で製作した多重波長レ-ザアレ-
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125194
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340587
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 赤外から赤色および青色に至る広い波長スペクトル範囲の、密な間隔の多重波長レーザビームを放出する能力をもつモノリシックな多重レーザ構造を提供する。【解決手段】 赤色/赤外並列形レーザ構造100が青色レーザ構造200に半田バンプ402,404でフリップチップ接合され、ハイブリッド方式の集積化された赤色/青色/赤外集積形レーザ構造400が形成される。この方法によりエッチングや再成長による製造方法に適合しない半導体材料系においても、異なる波長のレーザ素子をもつレーザアレー構造を製作することができる。
請求項（抜粋）：
集積化されたエッジ発光半導体レーザ構造において、第一のレーザ構造であって、第一の基板と、前記第一の基板上に形成された第一の複数の半導体層と、第一の活性領域を形成する前記第一の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第一の複数の半導体層中の一層上に設けられた第一の接合手段と、を有する第一のレーザ構造と、第二のレーザ構造であって、第二の基板と、前記第二の基板上に形成された第二の複数の半導体層と、第二の活性領域を形成する前記第二の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第二の複数の半導体層中の一層上に設けられた第二の接合手段であって、前記第一の接合手段の少なくとも一つに接合される第二の接合手段と、前記第二の基板上に形成された第三の複数の半導体層と、第三の活性領域を形成する前記第三の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第三の複数の半導体層中の一層上に設けられた第三の接合手段であって、前記第一の接合手段の少なくとも一つに接合される第三の接合手段と、を有する第二のレーザ構造と、第一の波長の光を放出させるために前記第一の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第一および第二の接点と、第二の波長の光を放出させるために前記第二の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第三および第四の接点と、第三の波長の光を放出させるために前記第三の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第五および第六の接点と、を含むことを特徴とする集積化されたエッジ発光半導体レーザ構造。
引用特許：
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