面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049638
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181391
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】垂直共振器型面発光レーザアレイの偏光の向きを制御して揃える。【構成】矩形断面のものについて説明する。陽極側半導体多層膜2のポスト断面形状を単一モードが得られる6×6μm と十分小さくし、さらに一方の辺を5μm とした、6×5μm の矩形とする。ポスト側面では、その面に垂直な偏光の損失が大きい。6μm の長辺側での長辺に平行な偏光の損失と5μm の短辺側での短辺に垂直な偏光の損失の比は、辺の長さの比にほぼ等しいため、長辺に垂直な偏光の損失が大きい。結果として短辺に垂直、すなわち長辺に平行な偏光が優勢となり、偏光制御が実現される。この効果はポスト径が単一モードが得られる程度に十分小さく、さらに本構造のように、片側の半導体多層反射膜のみをポスト構造にしていることで光が斜め成分を有する場合に顕著である。また光のフィールドが強い部分にポストを作製し、かつ電流注入をポスト中心部まで均一に行うために、ポスト底部と活性層の距離は光学長1波長程度が最適である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層と前記活性層をはさむ光閉じ込め層からなる中間層と、前記中間層の上下に第1及び第2半導体多層反射膜とを有する面発光レーザにおいて、前記第1半導体多層反射膜のみポスト構造を有し、前記第1半導体多層反射膜の側面は1組の互いに平行な平面を持ち、基板と平行な前記第1半導体多層反射膜の断面の径は第2半導体反射膜の断面の径より小さく、かつ単一横モード(0次モード)及び単一縦モード(0次モード)で発振する大きさで、前記第1半導体多層反射膜の断面を構成する辺の内、前記一組の互いに平行な平面上にある辺が最も長いことを特徴とする面発光レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G06E 1/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

面発光型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-025998 出願人：セイコーエプソン株式会社
光集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-187965 出願人：日本電信電話株式会社
光集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-187960 出願人：日本電信電話株式会社

全件表示

前のページに戻る