特許

J-GLOBAL ID：200903008386415893

光電変換素子

発明者： 長島 知理 ,  川口 一義
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180029
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019549
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】保護膜の機能を維持しつつ、反射損失と再結合損失を同時に低減して発電効率を高めた光起電力素子を提供する。【解決手段】半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、水素またはハロゲンの含有量を増加させ、かつ、Si含有量/N含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、 窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、水素またはハロゲンの含有量を増加させ、かつ、Si含有量/N含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持したことを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 F

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051BA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051EA18 ,  5F051EA20 ,  5F051FA06 ,  5F051HA03 ,  5F051HA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-072312   出願人：三菱電機株式会社
• 歯科用セルフエッチングプライマー処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-092131   出願人：学校法人日本大学
• 反射防止膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078626   出願人：三菱電機株式会社