特許
J-GLOBAL ID：200903075893039959

反射防止膜の成膜方法

発明者：
唐木田 昇市

唐木田 昇市 について

, 
高見 明宏

高見 明宏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078626
公開番号（公開出願番号）：特開2002-277605
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】 アンモニアボンベを使用しなくとも、従来と同等のパッシベーション効果が得られると共に、アンモニアボンベ使用に伴うコストやボンベ交換の作業を削減できる反射防止膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用する。また屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際は、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用し、n≦2.1の成膜の際には、SiNを構成する窒素原子の供給原料として、窒素原子と水素原子を含む化合物からなる原料を使用する。
請求項（抜粋）：
受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用することを特徴とする反射防止膜の成膜方法。
IPC (3件)：
G02B 1/11 ,  C23C 16/42 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
C23C 16/42 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 31/04 A
Fターム (19件)：
2K009AA02 ,  2K009CC02 ,  2K009CC42 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030JA06 ,  4K030LA16 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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