半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270879
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】反射防止膜の最適化を行って反射特性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】反射防止膜は、n型拡散層2上に形成された第1の窒化シリコン膜3aと、第1の窒化シリコン膜3a上に形成された第1の窒化シリコン膜3aの屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜3bとからなるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に反射防止膜が形成された半導体装置において、前記反射防止膜は、前記半導体基板上に形成された第1の窒化シリコン膜と、前記第1の窒化シリコン膜上に形成された前記第1の窒化シリコン膜の屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , C23C 16/42 , H01L 21/318 , H01L 31/10

FI (4件)：

C23C 16/42 , H01L 21/318 B , H01L 31/04 F , H01L 31/10 A

Fターム (36件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030BB13 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K030LA16 , 5F049NA02 , 5F049SZ03 , 5F049SZ04 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA16 , 5F051CB05 , 5F051CB12 , 5F051CB20 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051GA02 , 5F051GA15 , 5F051HA03 , 5F051HA06 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-296063
特開昭59-105382
太陽電池素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-116996 出願人：京セラ株式会社

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