特許
J-GLOBAL ID：200903052397677813

半導体装置

発明者：
林 真澄

林 真澄 について

, 
浪崎 博文

浪崎 博文 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270879
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 反射防止膜の最適化を行って反射特性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 反射防止膜は、n型拡散層2上に形成された第1の窒化シリコン膜3aと、第1の窒化シリコン膜3a上に形成された第1の窒化シリコン膜3aの屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜3bとからなるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に反射防止膜が形成された半導体装置において、前記反射防止膜は、前記半導体基板上に形成された第1の窒化シリコン膜と、前記第1の窒化シリコン膜上に形成された前記第1の窒化シリコン膜の屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 31/04 F ,  H01L 31/10 A
Fターム (36件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BB13 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA16 ,  5F049NA02 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA16 ,  5F051CB05 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA02 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39
引用特許：
審査官引用 (16件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM