半導体装置

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250956
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 TFTの電気的特性の値は、基板内のTFTにおいてバラツキが大きいとゲート電圧のマージンを大きくとることになり、動作に必要な電圧も高くなり、したがって消費電力が増加し、液晶表示装置等では階調表現の再現性を悪くする。【解決手段】ガラス基板中のアルカリ金属イオンがゲート電圧によって活性層に混入し、電気特性を劣化させることを抑制するためTFTのバックチャネル側にそれぞれ酸素と窒素の組成比の異る酸化窒化シリコン膜(A)を50nm〜100nmと、酸化窒化シリコン膜(B)を30nm〜70nmとを積層させたブロッキング層を設ける。特に影響の大きい酸化窒化シリコン膜(B)の膜厚を精密にする。

請求項（抜粋）：

基板上にTFTを設けた半導体装置であって、前記基板に接して形成した酸化窒化シリコン膜(A)と、該酸化窒化シリコン膜(A)に接して形成した酸化窒化シリコン膜(B)と、該酸化窒化シリコン膜(B)上に形成した半導体層とを有し、前記酸化窒化シリコン膜(A)の酸素に対する窒素の組成比は0.6以上1.5以下であり、前記酸化窒化シリコン膜(B)の酸素に対する窒素の組成比は0.01以上0.4以下であり、前記酸化窒化シリコン膜(A)の膜厚は50nm以上100nm以下であり、前記酸化窒化シリコン膜(B)の膜厚は30nm以上70nm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/312 , H01L 21/318 , H04N 5/66 102

FI (7件)：

G09F 9/30 338 , H01L 21/312 A , H01L 21/318 C , H01L 21/318 M , H04N 5/66 102 A , H01L 29/78 626 C , G02F 1/136 500

Fターム (107件)：

2H092JA28 , 2H092JB57 , 2H092KA07 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA26 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5C058AA06 , 5C058AB01 , 5C058BA35 , 5C094AA03 , 5C094AA07 , 5C094AA22 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA25 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB05 , 5C094FB14 , 5C094JA08 , 5F058AD04 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BD01 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ10 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-372013 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130314 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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