特許

J-GLOBAL ID：200903040462684913

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  浅見 勇臣 ,  高山 徹 ,  河崎 律子 ,  安達 広樹 ,  荒井 康行 ,  坂本 直哉 ,  早川 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269510
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 第1の絶縁層と結晶質半導体層と第2の絶縁層とを積層して成る半導体装置において応力バランスを考慮した構成として特性の向上を図る。【解決手段】 基板上に、引張り応力を有する結晶質半導体層を活性層とする半導体装置において、前記半導体層の基板側の表面に設けられる第1の絶縁層に引張り応力を付与し、前記半導体層の基板側とは反対側の表面に設けられる第2の絶縁層に圧縮応力を有するものを適用する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された島状半導体膜より成る活性層と、前記活性層と前記基板との間に設けられ、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも大きい第1の酸化窒化シリコン膜と、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第2の酸化窒化シリコン膜とを有する第1の絶縁層と、前記活性層の前記基板とは反対側の表面に接して設けられ、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第3の酸化窒化シリコン膜を有する第2の絶縁層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/146

FI (6件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/318 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-181378   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344495   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-181378   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344495   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所