特許
J-GLOBAL ID：200903008389705272

半導体発光装置

発明者：
下山 謙司

下山 謙司 について

, 
細井 信行

細井 信行 について

, 
後藤 秀樹

後藤 秀樹 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225306
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125285
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【課題】 クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【解決手段】 第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1μm未満の活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1μm未満の活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開平3-112186
  • 特開平4-312991
  • 特開平2-116187
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