プラズマ処理装置

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出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176857
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】プラズマ生成用アンテナを有するプラズマ処理装置で、所定の厚みを有しかつ電磁波放射部を備えた円盤状導電体を備えるアンテナの構造に改良を加え、高周波伝搬経路で定在波が生じるのを防止し、大電力の供給による高密度プラズマの生成を行って大面積基板を処理できるようにする。【解決手段】基板14を配置しかつ基板の前面空間にプラズマが生成される真空容器12と、真空容器に装備されたアンテナ10と、アンテナに高周波電力を供給する高周波電源31とが備えられる。アンテナは高周波電力を放射し、真空容器内にプラズマを生成し、プラズマによって基板表面を処理する。プラズマ処理装置は、さらに上記アンテナが、所定の厚みを有する円盤状導体板19を有し、円盤状導体板の周囲には、同軸型でかつ折返し部を有する導波路24が形成され、導波路の折返し部にインピーダンス整合を行う短絡3dB方向性結合器を設けている。

請求項（抜粋）：

内部に処理すべき基板を配置しかつ前記基板の前面の空間にプラズマを生成するように構成された真空容器と、この真空容器に装備されたプラズマ生成用アンテナと、このアンテナに高周波電力を供給する高周波電源を備え、前記高周波電源から高周波電力を供給された前記アンテナは前記高周波電力を放射し、前記真空容器内の前記空間に前記プラズマを生成し、このプラズマによって前記基板の表面に所定処理を行うプラズマ処理装置において、前記アンテナは、所定の厚みを有する円盤状導体部を有すると共に前記基板に対向する電磁波放射領域を有し、さらに同軸線路によって前記高周波電源に接続され、前記円盤状導体部は、その中心点で前記同軸線路の内側導体に接続され、前記円盤状導体部の周囲には、前記中心点に関して中心対称的に配置された同軸型でありかつ前記同軸線路から前記電磁波放射領域に至る折返し部を備えた導波路が形成され、前記導波路の前記折返し部にインピーダンス整合を行う短絡3dB方向性結合器としての構造を与えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/511 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/511 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Fターム (21件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA02 , 4K030JA18 , 4K030JA20 , 4K030KA05 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BB14 , 5F004BB32 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045DP03 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH17

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-108809 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300039 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368308 出願人：アネルバ株式会社

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