半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045775
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254684
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 MOS集積回路において内部回路を構成するMOSFETのゲート絶縁破壊を有効に防止できるような技術を提供する。【構成】内部回路を構成するMOSFETのゲート端子と電源電圧端子もしくはドレイン端子との間に保護用の素子を設けるようにした。【効果】入力ピンに接地電位よりも低いサージ電圧が印加されて入力保護用素子を通してグランドピンから入力ピンに向かって電流が流れたときに、グランドラインの寄生抵抗により電位が大きく下がって、内部論理回路出力電圧も大きく下がったとしても、この電圧を受ける次段の論理回路に保護用素子が設けられているため、その内部論理回路を構成するMOSFETのゲート・ソース間もしくはゲート・ドレイン間に過大な電圧が印加されるのを回避してゲート絶縁膜の破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と電源ラインとの間に保護用素子が接続されたMOSFETを備えた論理回路を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/06 311 Z

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平1-166562
特開平3-030363
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292152 出願人：株式会社リコー

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審査官引用 (5件)

特開平1-166562
特開平3-030363
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292152 出願人：株式会社リコー

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