特許
J-GLOBAL ID：200903008470886850
多層回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086379
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284414
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】誘電体同軸共振器を含むフィルターモジュールの小型化が可能で、かつ他の回路特性も安定であるとともに、特性の良好な誘電体同軸共振器を内蔵した多層回路基板を提供する。【解決手段】セラミック誘電体層1の積層体内に、環状アース電極とその内部を貫通する柱状内導体7からなる同軸共振器を設けた多層回路基板において、積層体内に導電材料が充填された環状溝2をセラミック誘電体層の積層方向に設けることにより環状アース電極6を形成するとともに、環状溝2の略中心部分に導電材料が充填された柱状孔3をセラミック誘電体層1の積層方向に設けることにより柱状内導体7を形成してなり、環状アース電極6の内部のセラミック誘電体の比誘電率が、環状アース電極6の外部のセラミック誘電体8b、8cの比誘電率よりも高いものである。
請求項（抜粋）：
セラミック誘電体層の積層体内に、環状アース電極とその内部を貫通する柱状内導体からなる同軸共振器を設けた多層回路基板において、前記積層体内に導電材料が充填された環状溝を前記セラミック誘電体層の積層方向に設けることにより前記環状アース電極を形成するとともに、前記環状溝の略中心部分に導電材料が充填された柱状孔を前記セラミック誘電体層の積層方向に設けることにより前記柱状内導体を形成してなり、前記環状アース電極の内部のセラミック誘電体の比誘電率が、前記環状アース電極の外部のセラミック誘電体の比誘電率よりも高いことを特徴とする多層回路基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01P 7/04
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 H
