マイクロ構造体、物理量検出装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新居広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329960
公開番号（公開出願番号）：特開2003-136494
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】出力信号中のスパイクノイズや出力信号のドリフトが極めて少ない、安定動作可能なSOI構造の加速度センサ等のマイクロ構造体を提供する。【解決手段】 SOI層15と支持基板17とが埋め込み絶縁膜16で電気的に絶縁されてなる積層構造を有する加速度センサ等のマイクロ構造体であって、SOI層15及び埋め込み絶縁膜16を貫通し支持基板17に達するコンタクトコンタクトホール24が形成され、そのコンタクトホール24内には、SOI層15と支持基板17とを電気的に導通させる導電体層が形成されている。

請求項（抜粋）：

SOI層と支持基板層とが絶縁膜層で電気的に絶縁されてなる積層構造を有するマイクロ構造体であって、前記SOI層には、物理量を検出するための検出素子部と当該SOI層の電位を固定するためのコンタクト部が形成され、前記マイクロ構造体は、さらに、前記コンタクト部に接続されるとともに外部に接続される電極パッドを有することを特徴とするマイクロ構造体。

IPC (5件)：

B81B 3/00 , G01P 15/08 , G01P 15/12 , G01P 15/18 , H01L 29/84

FI (5件)：

B81B 3/00 , G01P 15/12 , H01L 29/84 A , G01P 15/00 K , G01P 15/08 P

Fターム (13件)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA29 , 4M112DA03 , 4M112DA09 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA11 , 4M112FA01

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体加速度センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036487 出願人：松下電工株式会社
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295416 出願人：株式会社フジクラ
特開平4-162779

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