シリコン単結晶の引上げ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116392
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：

【要約】【課題】不活性ガスに混入した不純物によるシリコン単結晶棒の汚染を防止でき、高純度のシリコン単結晶棒を得ることができる。【解決手段】チャンバ11内に設けられた石英るつぼ13にシリコン融液12が貯留され、石英るつぼ13の外周面を包囲するヒータ18がシリコン融液12を加熱する。シリコン融液12から引上げられるシリコン単結晶棒25の外周面を包囲しかつ下端がシリコン融液12表面から間隔をあけて上方に位置する熱遮蔽部材26がヒータ18からの輻射熱を遮り、ガス給排手段が不活性ガスをシリコン単結晶棒25及び熱遮蔽部材26間を流下させかつシリコン融液12表面を通過させてチャンバ11外に排出する。不純ガス排出手段28がシリコン単結晶棒25及び熱遮蔽部材26間を流下する不活性ガスのうち熱遮蔽部材26の表面に沿って流下する不活性ガスを吸引してチャンバ11外に排出する。

請求項（抜粋）：

チャンバ(11)内に設けられシリコン融液(12)が貯留された石英るつぼ(13)と、前記石英るつぼ(13)の外周面を包囲し前記シリコン融液(12)を加熱するヒータ(18)と、前記シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶棒(25)の外周面を包囲しかつ下端が前記シリコン融液(12)表面から間隔をあけて上方に位置し前記ヒータ(18)からの輻射熱を遮る熱遮蔽部材(26,56)と、不活性ガスを前記シリコン単結晶棒(25)及び前記熱遮蔽部材(26,56)間を流下させかつ前記シリコン融液(12)表面を通過させて前記チャンバ(11)外に排出するガス給排手段(27)とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置において、前記シリコン単結晶棒(25)及び前記熱遮蔽部材(26,56)間を流下する不活性ガスのうち前記熱遮蔽部材(26,56)の表面に沿って流下する前記不活性ガスを吸引して前記チャンバ(11)外に排出する不純ガス排出手段(28,58)を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , C30B 25/14

FI (3件)：

C30B 29/06 502 K , C30B 15/00 Z , C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

単結晶を製造するための装置と方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-335638 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
単結晶引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-191851 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
シリコン単結晶中の酸素濃度の低減方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-308026 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社

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