特許
J-GLOBAL ID：200903008555853366
窒化物半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330610
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】本発明は窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を用いた窒化物半導体レーザーに係わり、特に実装時においても信頼性が高く量産性に優れた窒化物半導体レーザーを提供することにある。【解決手段】導電性基板上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域と、該導波路領域から連続する略平滑面とを有する窒化物半導体レーザーである。特に、導波路領域上に設けられたストライプ状の第1電極と、第1電極と電気的に接続され絶縁性保護膜を介して窒化物半導体の平滑面上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極と、導電性基板を介して第1電極と対向して設けられた第2電極とを有する窒化物半導体レーザーである。
請求項（抜粋）：
導電性基板(106)上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域(115)と、該導波路領域から連続する略平滑面(116)とを有する窒化物半導体レーザー(100)において、導波路領域上に設けられたストライプ状の第1電極(101)と、該第1電極と電気的に接続され絶縁性保護膜(104)、(105)を介して前記平滑面(116)上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極(102)と、導電性基板(106)を介して第1電極(101)と対向して設けられた第2電極(103)とを有する窒化物半導体レーザー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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