半導体レーザ素子および半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284154
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129965
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】ワイヤボンドの際の発光領域のダメージを防ぐ。【解決手段】 n型基板1上に、n型半導体層2さらにp型半導体層3が積層され、このpn接合面にノンドープまたはp型の発光領域4がストライプ状に形成されている。この発光領域4は、素子幅方向の中心位置に対していずれか一方側にのみに形成されており、発光領域4が素子中心位置から離れているので、発光領域4と重ならないようにワイヤボンドさせるための許容幅が大きく、発光領域8とワイヤボンド面8との水平方向の距離をより大きく取ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

pn接合面を含む積層構造が設けられ、該pn接合面に、共振器に平行なストライプ状の発光領域が設けられた半導体レーザ素子において、該発光領域は、素子の幅方向の中心面に対していずれか一方側にのみに設けられた半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-033885
特開昭58-098994
半導体レーザダイオード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100582 出願人：関西日本電気株式会社

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