特許

J-GLOBAL ID：200903008568062546

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  鈴木 幸恵 ,  荒井 康行 ,  守屋 芳隆 ,  池田 佳寿子 ,  棚田 好文 ,  高橋 修平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-116407
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103666
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の膜厚が薄くなった部分、即ち、段差部による半導体素子特性への影響を低減し、半導体素子の信頼性を向上させることを目的とする。また、そのような半導体素子を有する半導体装置を実現するための作製方法を提供する。【解決手段】半導体層と、半導体層の端部を覆うゲート電極と、当該半導体層及びゲート電極を絶縁する絶縁層を有し、半導体層の端部及びゲート電極が重なる領域を絶縁する絶縁層の膜厚が、半導体層の中央部を覆う絶縁層の膜厚より厚い半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成される半導体層と、 半導体層上に形成されるゲート電極と、 前記半導体層及び前記ゲート電極の間に設けられる絶縁層とを有し、 前記絶縁層は第1の膜厚の領域及び前記第1の膜厚より厚い第2の膜厚の領域を有し、 前記第2の膜厚の領域は、前記ゲート電極と重畳する前記半導体層の端部を覆うことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 626 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 613B

Fターム (132件)：

5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP45 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER13 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083PR15 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA42 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD24 ,  5F101BD27 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD41 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BE14 ,  5F101BH06 ,  5F101BH21 ,  5F110AA12 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG24 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ04 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM20 ,  5F110NN65 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-306083   出願人：三星エスディアイ株式会社

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-388386   出願人：ソニー株式会社