薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306083
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167207
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】本発明は、絶縁耐圧特性が改善された薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタを提供する。薄膜トランジスタはゲート絶縁膜130及びゲート絶縁膜下部130に位置してゲート絶縁膜130に接して、80度以下のテーパーを有するエッジPを備える下部パターンを含む。これで、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧特性を改善できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜下部に位置して前記ゲート絶縁膜に接して、80度以下のテーパーを有するエッジと、を備える下部パターンを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 617K , H01L29/78 617V

Fターム (23件)：

5F110AA12 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110HJ13 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

大韓民国特許出願第1994-035626号

審査官引用 (7件)

薄膜半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-343949 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056087 出願人：株式会社東芝
表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083260 出願人：株式会社東芝

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