特許

J-GLOBAL ID：200903008582953135

エッチング液の管理方法、及びエッチング液管理システム

発明者： 宮崎 康 ,  吉田 正彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079578
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279777
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハを均質にエッチングできる、エッング液の管理方法と、エッチング液管理システムを提供する。【解決手段】 シリコンウェーハを浸漬して前記シリコンウェーハのエッチングを行う場合に使用される、エッチング液におけるシリコン濃度が所定の範囲内に維持されるように、当初エッチング液に予めシリコンを含有させておくと共に、使用中のエッチング液の一部を、シリコンを含有しないエッチング液、または、シリコンを含有し、かつ、前記当初エッチング液よりもシリコン濃度が低いエッチング液と、随時、交換して、継続して使用することを特徴とするエッチング液の管理方法とこの管理方法を実現するエッチング液管理システムであって、前記所定の範囲の濃度は、5g/l〜20g/lであると好ましい。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハを浸漬して前記シリコンウェーハのエッチングを行う場合に使用される、エッチング液におけるシリコン濃度が所定の範囲内に維持されるように、当初エッチング液に予めシリコンを含有させておくと共に、使用中のエッチング液の一部を、シリコンを含有しないエッチング液、または、シリコンを含有し、かつ、前記当初エッチング液よりもシリコン濃度が低いエッチング液と、随時、交換して、継続して使用することを特徴とするエッチング液の管理方法。

IPC (2件)：

C23F 1/24 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

C23F 1/24 ,  H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコンウエハのエッチング液およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104408   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• ウエットプロセス装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-171230   出願人：深田純子
• 特開平1-212774
  
• 特開平1-212774