特許
J-GLOBAL ID：200903008603744582
面発光型半導体レーザとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024277
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 横モードが安定であり、光出力が大きく、かつ簡易なプロセスで再現性よく製造することができる面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 第1電極10、半導体基板1、第1多層反射膜2、活性層4、及び第2多層反射膜6が順次積層された面発光型半導体レーザに、第2電極9と、コンタクト層8がその光出射領域11に対応する部分に形成されたキャップ層7とにより、コンタクト層8が形成された部分を介して活性層4への電流注入を可能とし、コンタクト層8が形成されていない部分を介して活性層4への電流注入を不能とする。さらに、第2電極の光学的厚さとコンタクト層8の光学的厚さとを調整することにより、コンタクト層8が形成された部分の周辺部分の反射率を、コンタクト層8が形成された部分の反射率よりも低下させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた第1電極と、該半導体基板の第1電極とは反対側の面に設けられた第1多層反射膜と、活性層を挟んで該第1多層反射膜に対向するように設けられた第2多層反射膜と、レーザ発振される光に対して光学的に透明で、かつ、第1電極と共に活性層に電流を注入するための第2電極と、前記第2電極と前記第2多層反射膜との間に設けられ、レーザ発振される光に対して光学的に透明なコンタクト層がその光出射領域に対応する部分に形成されると共に、該コンタクト層が形成された部分を介して活性層への電流注入を可能とし、該コンタクト層が形成されていない部分を介して活性層への電流注入を不能とするキャップ層と、を備え、前記第2電極の光学的厚さと前記コンタクト層の光学的厚さとを調整することにより、前記コンタクト層が形成された部分の周辺部分の反射率を、前記コンタクト層が形成された部分の反射率よりも低下させた面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA07
, 5F073AA08
, 5F073AA09
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA15
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073EA24
