特許
J-GLOBAL ID:200903098994175489
半導体発光装置とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-313943
公開番号(公開出願番号):特開平11-150321
出願日: 1997年11月14日
公開日(公表日): 1999年06月02日
要約:
【要約】【課題】 窓構造を有する半導体発光装置の製造の煩雑さ、量産性の問題、信頼性の問題を解決する。【解決手段】 半導体基体1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層2と、活性層4と、第2導電型のクラッド層6を有する半導体層8を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成された半導体発光装置において、半導体層8に、相対的に格子定数が相違する歪み領域11と歪み緩和領域12とを作り付けてこれらのうちのいずれか格子定数が小さい領域によって窓構造を構成する。
請求項(抜粋):
基体上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層を有する半導体層を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成された半導体発光装置において、上記半導体層に、相対的に格子定数が小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれ、上記光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、上記格子定数の小さい領域が形成され、上記光共振器の中央領域に上記格子定数が大きい領域が形成されて成ることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-104646
出願人:三洋電機株式会社
-
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-236058
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-178077
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-005399
出願人:日本電気株式会社
-
半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-064183
出願人:シャープ株式会社
-
半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-194455
出願人:株式会社日立製作所
-
特開昭64-073689
-
冷電子放出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-055671
出願人:工業技術院長
全件表示
前のページに戻る