特許
J-GLOBAL ID：200903008611120849

半導体装置の製造方法

発明者：
松本 順子

松本 順子 について

, 
坂森 重則

坂森 重則 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288546
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134956
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 従来のセルフアラインコンタクト方式の半導体装置の製造過程において、配線とコンタクトとの短絡により安定な装置動作を実現できないという問題があった。【解決手段】 配線を保護するシリコン酸化膜からなる絶縁膜上に、さらにシリコン窒化膜からなるエッチングストッパ膜を積層して、コンタクトホール開口のための異方性ドライエッチングによる配線の損傷を防ぎ、コンタクトホールの形状を有するレジストパターンを窒素原子を含む反射防止膜を利用して形成し、いずれも窒素原子を含み、所定条件下で等しい選択比を持つコンタクトホール形成領域のエッチングストッパ膜と反射防止膜を同時にエッチング除去することで安定な性能を持ち、製造工程を簡略化できる半導体装置を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に導電膜からなる配線を形成する第一の工程、上記配線の上面及び側面を覆う絶縁膜を形成する第二の工程、上記半導体基板全面にエッチングストッパ膜を積層する第三の工程、上記エッチングストッパ膜上に層間絶縁膜を積層する第四の工程、上記層間絶縁膜上に反射防止膜を積層し、コンタクトホールの形状のパターンを有するレジストパターンを形成する第五の工程、上記レジストパターンをエッチングマスクとし、コンタクト形成領域上に位置する反射防止膜及び層間絶縁膜を除去する第六の工程、上記レジストパターンを除去し、層間絶縁膜上に積層された反射防止膜を露出させる第七の工程、上記反射防止膜及びコンタクト形成領域上のエッチングストッパ膜を同時除去する第八の工程、コンタクトホール形成領域の半導体基板の一主面を露出させ、コンタクトホール内に導電物質を埋設し、コンタクトを形成する第九の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J
引用特許：
出願人引用 (4件)
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