窒化物系III-V族化合物半導体装置の電極構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373477
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196109
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III-V族化合物半導体装置の電極構造を提供する。【解決手段】この窒化物系III-V族化合物半導体装置の電極構造は、電極4の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体GaN層3への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極4を得ることができた。

請求項（抜粋）：

電極材料として金属窒化物を用いることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置の電極構造。

IPC (5件)：

H01L 29/872 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/48 M , H01L 21/28 301 H , H01L 21/28 301 R , H01L 29/80 M

Fターム (24件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F102FA04 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GS01 , 5F102GT06 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-273632
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142221 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-087189 出願人：シャープ株式会社

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