特許
J-GLOBAL ID：200903008661093745
薄膜キャパシタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223333
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065123
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 成膜温度や成膜手法に左右されることなく、良好な特性が得られる薄膜キャパシタ構造と、その構造の薄膜キャパシタを容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 微細加工容易な電極材料で作製した下部電極11にPt12を薄く被覆した構造の下部電極上に誘電体13および上部電極14を有する構造の薄膜キャパシタ。製造方法として、立体構造下部電極11の間にあらかじめ溝17を形成し、Siを埋め込む。その上にPt12を一様に被覆する。それを熱処理することによりSiとPtが接した部分19にPtシリサイドを形成し、その部分を選択的に除去する。その後、各下部電極間の電気的絶縁を保つため、必要に応じて溝17のSiを除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極、誘電体、上部電極が順次形成され、下部電極の上面及び側面を容量として用いる薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極は前記誘電体と接する表面全面にPtよりなる表面層を有し、かつ前記下部電極はPtより微細加工性の優れた電極材料よりなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (6件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01G 4/33
, H01L 21/28 301
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 B
, H01L 21/28 301 Z
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
