特許
J-GLOBAL ID：200903080073134608

マイクロ電子構造体とその製造法

発明者：
スコット アール.サマーフェルト

スコット アール.サマーフェルト について


出願人/特許権者：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196767
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064786
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率材料に対し特性の優れた電気的接続が得られ、かつ妥当なコストと歩留まりで製造可能である、マイクロ電子構造体とその製造法を提供する。【解決手段】 1つの好ましい実施例は、酸化可能な層(例えば、TiN)と、前記酸化可能な層の上に配置された導電性で新種の窒化物障壁体層(例えば、Ti-Al-N)と、前記新種の窒化物層の上に配置された酸素に安定な層(例えば、白金)と、前記酸素に安定な層の上に配置された高誘電率材料層(例えば、チタン酸バリウム・ストロンチウム)とを有する。酸素が前記酸化可能な層に拡散するのを前記新種の窒化物障壁体層が実質的に抑止し、それにより前記酸化可能な層の有害な酸化が最小限に抑止される。
請求項（抜粋）：
(イ) 酸化可能な層を作成する段階と、(ロ) 前記酸化可能な層の上に導電性窒化物の層を作成する段階であって、前記導電性窒化物が窒化チタン・アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化イットリウム、窒化スカンジウム、窒化ランタン、他の希土類元素の窒化物、窒素が欠乏した窒化アルミニウム、不純物が添加された窒化アルミニウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム、窒化ストロンチウム、窒化バリウム、およびこれらの組み合わせ、から成る群から選定される、前記酸化可能な層の上に前記導電性窒化物の層を作成する段階と、(ハ) 前記導電性窒化物層の上に酸素に安定な層を作成する段階と、(ニ) 前記酸素に安定な層の上に高誘電率材料の層を作成する段階とからなり、ここで酸素が前記酸化可能な層にまで拡散することを前記導電性窒化物層が実質的に抑止し、それにより前記酸化可能な層の有害な酸化が最小限に抑えられる、マイクロ電子構造体を作成する方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B
引用特許：
審査官引用 (18件)
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