特許
J-GLOBAL ID：200903008670341174
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037335
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 高バイアス駆動時で光出力飽和の少ない半導体レーザを実現する。【構成】 n-InP基板101上にn-InP層102、n-InGaAsP115、活性層116、p-InGaAsP117、p-InP層104を順次成長させる。この半導体多層構造から、メサストライプを形成する。ストライプの両側にp-InP105、n-InP電流ブロック層106を形成し、埋め込み型へテロ構造を形成する。電極110をマスクとして、イオン注入により、電極110の両側の半導体表面に絶縁層118を形成する。次にSiO2110をエッチングし全面に金属多層膜112を蒸着する。この構造により、ヒートシンクへのボンディングした際に、レーザ素子内で発生した熱はコンタクト層の方向だけでなく、電流ブロック層から横方向にも放熱される。よって高バイアス駆動時でも光出力飽和の少ない特性の半導体レーザが実現できる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のクラッド層、活性層、第2の導電型のクラッド層を有するメサストライプと、前記メサストライプの両側に設けた電流ブロック層と、前記メサストライプの両側の前記電流ブロック層に設け、前記第1の導電型のクラッド層まで達する溝と、前記溝表面に設けた絶縁層と、前記絶縁層上に設けた金属薄膜とを有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
