特許
J-GLOBAL ID：200903008703528623
窒化ガリウム系発光ダイオードの構造とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-374247
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191575
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】低動作電圧、外部量子効果の強化を達成することができる窒化ガリウム系半導体の発光ダイオード構造及び製造方法を提供する。【解決手段】p型窒化ガリウムオーム接触層207の繊維状構造上に、第一接触分布(contact spreading)金属層208aを形成し、次に、第一接触分布金属層上に、第二、及び、第三金属接触分布層208b、208cを形成して、三層構造のp型金属からなる透光性導電層を構成し、この三種構造のp型金属からなる透光性導電層は、酸素或いは、窒素含有の環境中で、高温合金された後、好ましい導電性を有する。且つ、効果的に、p型金属電極とp型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系半導体発光ダイオードの構造であって、
基板と、
前記基板上の低温形成バッファ層、高温形成バッファ層、n型オーム接触層、発光層、被覆層、表面が微細な粗面であるp型オーム接触層、及び、
前記p型オーム接触層上に形成されたp型金属、及び又はp型金属酸化物からなる透光性導電層と、
からなることを特徴とする発光ダイオードの構造。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA92
