特許
J-GLOBAL ID：200903026790001804
オーミック電極およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041254
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 接触比抵抗を小さくすると共にその熱的安定性を高めることにより、素子を長期間に渡って安定動作させることができるオーミック電極およびその形成方法を提供する。【解決手段】 p型のGaNなどよりなるp型化合物半導体層1の上にp型のGaNなどよりなるコンタクト層2を介して電極層3を形成する。コンタクト層2はMBE法により形成し、正孔濃度をp型化合物半導体層1よりも高くする。電極層3は、金または白金以外の遷移金属よりなる遷移金属層3aと白金層3bと金層3cとを順次積層したのちアニールすることにより形成する。これにより、白金層によって金がp型化合物半導体層の方に拡散するのを防止しつつ遷移金属層によって白金層をp型化合物半導体層に密着させる。
請求項（抜粋）：
III族元素としてガリウム,アルミニウム,ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも1種と窒素とを含むp型化合物半導体層に対するオーミック電極であって、金と、白金と、金または白金以外の遷移金属元素のうちの少なくとも1種とを含む複合体よりなる電極層を備えたことを特徴とするオーミック電極。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/203
H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/203 M
