特許

J-GLOBAL ID：200903008709154830

発光素子用n型電極及びその製造方法並びにそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子

発明者： 村木 典孝 ,  三木 久幸 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111622
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313749
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 接触抵抗が低く、ボンダビリティーに優れた III族窒化物半導体発光素子用n型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した2層構造のn型電極とする。

請求項（抜粋）：

n型 III族窒化物半導体表面にニッケル(Ni)薄膜とアルミニウム(Al)薄膜を順次積層してなることを特徴とする発光素子用n型電極。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Fターム (33件)：

4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104EE15 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子用の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-236117   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-079122   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030204   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー