半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277802
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体よりなる半導体装置について、p型およびn型オーミック電極の抵抗率を下げる。【解決手段】サファイア基板1の上にアンドープGaNバッファ層2、アンドープGaN層3、p型の不純物のMgがドープされたpドープGaN層4aを順次結晶成長させる(図1(a))。次に、pドープGaN層4aの上にNiとMgとからなる合金膜8およびAu膜6を順次蒸着してp型側の電極9を形成する(図1(b))。その後、窒素雰囲気中にて基板の温度を700°Cまで上げて加熱した後、基板の温度を室温まで戻す。この基板の温度の上下サイクルを3回行い、pドープGaN層4aより水素を追い出してpドープGaN層4aに含まれるMgを活性化させ、低抵抗のp型GaN層4に変化させる(図1(c))。

請求項（抜粋）：

AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)よりなる半導体層の上に電極を形成する工程と、前記電極を形成した後にアニールする工程とを備え、前記電極は、水素を吸蔵する性質を有する金属を含むものであり、前記アニールする工程は、温度を上げる過程と温度を下げる過程とを繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01S 5/042 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H , H01S 3/18 624 , H01S 3/18 677

Fターム (27件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA82 , 5F041CA87 , 5F041CA92 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB22 , 5F073DA30

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022196 出願人：日亜化学工業株式会社
p型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-053477 出願人：三洋電機株式会社
特開昭57-114229

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