窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上野英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030204
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233529
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】従来は、窒化物半導体を外部と電気的に接続するために、窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体上にNiを蒸着し電極としていた。しかしp型窒化物半導体上の電極は高抵抗であり、また駆動するためのしきい値電圧が高かった。本発明の目的は駆動するための電圧が低く接触抵抗の低い電極の提供およびその製造方法を開示することである。【解決手段】窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体層の上に生成される低抵抗の電極を提供するために電極の材料としてPdを用い、これをp型窒化物半導体層上に蒸着する。さらに蒸着前のHFによる清浄化、蒸着後のアニーリングにより、電極部分における接触抵抗の低減化の効果をさらに顕著にする。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体素子であって、外部との電気的接続を行なうための端子として、前記窒化物半導体素子の最外部に位置するp型窒化物層にPdを蒸着した電極を用いることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/285 301 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/285 301 R , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

電極構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-167124 出願人：シャープ株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-094484 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団

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