電力増幅器及び高周波半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046809
公開番号（公開出願番号）：特開平7-303017
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】動作周波数及び動作バイアス点が可変な電力増幅器を提供する。【構成】 MMIC110は、二段のFET112、113と3箇所の整合回路部111、113、115と2箇所のゲートバイアス抵抗器116、117を集積している。ドレインバイアス回路部101とゲートバイアス回路部102は実装基板100上に形成され、それぞれドレイン電圧供給端子121、122及びゲート電圧供給端子123、124に接続される。信号は信号入力端子126より入力され、信号出力端子127より出力される。動作周波数は、ドレインバイアス回路部101の伝送線路中のバイパスコンデンサの位置の変更等によって調整できる。動作バイアス点は、ゲートバイアス回路部102中の可変抵抗器を利用した抵抗分割によってゲートバイアスを印加することによって調整できる。

請求項（抜粋）：

能動素子,受動素子等を一体的に形成した集積回路と、上記集積回路を実装するための基板とを備えた電力増幅器において、上記集積回路内に設けられたゲート電極,ドレイン電極及びソース電極からなり高周波信号を増幅するための少なくとも1つのFETと、上記集積回路内に設けられ上記FETのドレイン電極に電圧を供給するためのドレイン電圧供給端子と、上記集積回路外の基板上に設けられ上記ドレイン電圧供給端子に接続されるドレイン電源部と、上記集積回路部外の基板上に設けられ、上記FETのドレイン電極から見たドレイン電源側のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整用部材とを備えたことを特徴とする電力増幅器。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-261206
特開昭55-149509
特開平4-357705

全件表示

前のページに戻る