特許
J-GLOBAL ID：200903008720417363
パワーMOSFETを同期整流回路として駆動するための方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹沢 荘一
, 中馬 典嗣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-543766
公開番号（公開出願番号）：特表2006-502690
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【解決手段】 同期整流回路は、パワーMOSFETとパワーMOSFETのゲートを駆動するゲートドライバとを備え、パワーMOSFETは、ドレイン-ソース間が並列接続され、交流電流がドレイン-ソースパスで整流されるようになっている第1及び第2のパワーMOSFETを備え、第1のパワーMOSFETは低Rdsonであり、第2のパワーMOSFETは高Rdsonであり、パワーMOSFETを流れる電流が閾値より低い時に、パワーMOSFETの見かけ上のRdsonが大きくなり、ゼロクロス電流検出できるようになっている。
請求項（抜粋）：
パワーMOSFET(電力用MOS型電界効果トランジスタ)、とパワーMOSFETのゲートを駆動するゲートドライバとを備える同期整流回路であって、
パワーMOSFETは、ドレイン-ソース間が並列接続され、交流電流がドレイン-ソースパスで整流されるようになっている第1及び第2のパワーMOSFETを備え、第1のパワーMOSFETは低Rdson(パワーMOSFETのドレイン-ソースパスに流れる電流が閾値レベルより低い時の、パワーMOSFETのドレイン-ソース導通時の見かけ上の抵抗)であり、第2のパワーMOSFETは高Rdsonであり、パワーMOSFETを流れる電流が閾値より低い時に、パワーMOSFETの見かけ上のRdsonが大きくなって、ゼロクロス電流検出できるようになっている同期整流回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5H006AA05
, 5H006CA02
, 5H006CB01
, 5H006CB07
, 5H006DB01
, 5H006DC02
