特許
J-GLOBAL ID:200903008722962016
半導体素子および製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-230095
公開番号(公開出願番号):特開平11-126865
出願日: 1998年07月30日
公開日(公表日): 1999年05月11日
要約:
【要約】【課題】 リード13と、リード13の少なくとも一つと実質的に同一面上にあるフラグ14とを具備するリードフレーム12であって、フラグ14が穴15を有するところのリードフレーム12を設けることによって、半導体素子を製造可能にする。【解決手段】 電子基板11はフラグ14に接着され、電子基板11の周辺はボンディング・パッド21を有し、これらのボンディング・パッド21はフラグ14の方向を向き、電子基板11は穴15を覆い、フラグ14はボンディング・パッド21上にない。次に、パッド21はリード13にワイヤ・ボンディングされ、電子基板11およびリードフレーム12はパッケージング材料17で封入され、このパッケージング材料17は開口部23を有し、かつフラグ14の穴15を覆わない。
請求項(抜粋):
半導体素子を製造する方法であって:穴を具備するフラグ(14)を有するリードフレーム(12)を設ける段階;および前記フラグ上に電子チップ(11)を配置する段階であって、前記電子チップは前記穴を覆う、段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/50 U
, H01L 23/28 J
引用特許:
審査官引用 (2件)
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半導体圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-278182
出願人:松下電工株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-178777
出願人:株式会社日立製作所
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