特許

J-GLOBAL ID：200903008768018100

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

発明者： 小澤 美和 ,  野崎 耕司 ,  並木 崇久 ,  今 純一 ,  矢野 映
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328931
公開番号（公開出願番号）：特開2004-046060
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】レジストパターンを厚肉化しエッチング耐性に優れた表層を形成できパターンを微細化可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と架橋剤と含環状構造化合物とを含む又は環状構造を一部に有してなる樹脂と架橋剤とを含むレジストパターン厚肉化材料。レジストパターン上に表層を有し、同条件下での該表層と内層とのエッチング速度(Å/s)比(内層/表層)が1.1以上であるレジストパターン。レジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

樹脂と架橋剤と含環状構造化合物とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。

IPC (2件)：

G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成材料組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-246686   出願人：信越化学工業株式会社
• 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-131367   出願人：ティーディーケイ株式会社