特許
J-GLOBAL ID：200903008770034740
制御された温度で材料を処理するための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-612986
公開番号（公開出願番号）：特表2002-542620
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2002年12月10日
要約：
【要約】半導体処理装置がチャンバを有しており、このチャンバ内に半導体ウェハが、この半導体ウェハの処理のために導入され、さらにヒータを有しており、このヒータがチャンバ内のウェハを加熱する。放射ガイドがウェハの選択された領域から熱放射を収集する。ウェハ支持アセンブリは、ウェハを支持し、領域からの放射以外の放射から放射ガイドを遮へいする。ガイドからの放射を受け取るように結合された高温計は、放射を分析し、これにより、処理を制御する場合に使用するための領域の温度を決定する。
請求項（抜粋）：
半導体処理装置において、 チャンバが設けられており、該チャンバ内に半導体ウェハが、該半導体ウェハの処理のために導入され、 ヒータが設けられており、該ヒータが、チャンバ内のウェハを加熱するようになっており、 放射ガイドが設けられており、該放射ガイドが、ウェハの選択された領域から熱放射を収集するようになっており、 ウェハを支持するウェハ支持アセンブリが設けられており、該ウェハ支持アセンブリが、前記領域からの放射以外の放射から放射ガイドを遮へいするようになっており、 放射を放射ガイドから受け取るように結合された高温計が設けられており、該高温計が、放射を分析し、これにより、処理を制御する場合に使用するための前記領域の温度を決定するようになっていることを特徴とする、半導体処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/26 T
5F045AA03
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045EK06
, 5F045EM01
, 5F045EM09
, 5F045EM10
, 5F045GB05
