特許

J-GLOBAL ID：200903008795497192

半導体装置素子の製造方法

発明者： 金 基相 ,  ▲鄭▼ 圭贊 ,  郭 奎煥
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270706
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036284
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】カセットステージから移送通路に沿ってロードロックチャンバーにウェハを移送し、ロードロックチャンバー内に真空圧を形成し、ロードロックチャンバーから複数個の工程チャンバーのうちの第1工程チャンバーにウェハを移送し、第1工程チャンバー内で真空下にウェハに対する第1加工を行い、第1工程チャンバーからロードロックチャンバーにウェハを移送し、ロードロックチャンバー内に大気圧を形成し、ロードロックチャンバーから移送通路に沿ってカセットステージにウェハを移送する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

移送通路に面したカセットステージに安着されたカセットにウェハを積載する段階と、 前記カセットステージから前記移送通路に沿って、前記移送通路の側面に配置されたロードロックチャンバーに前記ウェハを移送する段階と、 前記ロードロックチャンバー内に真空圧を形成する段階と、 前記ロードロックチャンバーから、前記移送通路の側面に並んで配列された複数個の工程チャンバーのうちの前記ロードロックチャンバーの一側面に連結され第1工程チャンバーに前記ウェハを移送する段階と、 前記第1工程チャンバー内で真空下に前記ウェハに対する第1加工を行う段階と、 前記第1工程チャンバーから前記ロードロックチャンバーに前記ウェハを移送する段階と、 前記ロードロックチャンバー内に大気圧を形成する段階と、 前記ロードロックチャンバーから前記移送通路に沿って前記カセットステージに前記ウェハを移送する段階と、 を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/677 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/68 A ,  H01L21/302 101G

Fターム (14件)：

5F004BC02 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F031CA02 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031MA02 ,  5F031MA04 ,  5F031MA06 ,  5F031MA09 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031NA20 ,  5F031PA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293387   出願人：三星電子株式会社
• 搬送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-335223   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭63-252439
  
• 特開昭63-252439