半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293387
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307614
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】多数個の工程チャンバーを備えた設備の面積を最小化する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを提供する。【解決手段】ウェーハを積載したカセット41が安着されるカセットステージ42と、カセットステージ42に面してウェーハの移送に必要な空間を有する長方形移送通路と、移送通路の側面に並んで配列される多数個の工程チャンバー45及び移送通路に設置され、カセットステージに積載されたウェーハを多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングさせるウェーハ移送装置52とを備える。従って、多数個の工程チャンバー45を多層に直列配置して設備の面積及び設備幅を画期的に縮小することができ、不必要な真空面積を縮小することで装置費及び設置費を最小化することができ、他工程設備との連結及び空間活用が容易である。

請求項（抜粋）：

ウェハを積載したカセットが安着されるカセットステージと、前記カセットステージに面しウェハの移送に必要な空間を有する長方形の移送通路と、前記移送通路の側面に並んで配列される多数個の工程チャンバーと、前記移送通路に設置され、前記カセットステージに積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングさせることが可能なウェハ移送装置と、を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/68 A , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-287543 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020140 出願人：株式会社日立製作所
搬送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-335223 出願人：東京エレクトロン株式会社

全件表示

前のページに戻る