特許

J-GLOBAL ID：200903008834147544

p型シリコンカーバイド層の製造方法

発明者： 新井 学 ,  木村 親夫
出願人/特許権者： 木村 親夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-050507
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237319
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のp型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第1の板状部材とを積層し、昇温、降温することでp型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第1の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第1の板状部材と接合しない材料からなる第2の板状部材を、または第2の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでp型シリコンカーバイド層を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、該アルミニウム部材上に、該アルミニウムが融解したとき、該アルミニウムに溶解して該アルミニウムへ前記シリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第1の板状部材とを載置し、あるいはさらに該第1の板状部材上に、融解した前記アルミニウムが凝集しない重量の、前記第1の板状部材と接合しない材料からなる第2の板状部材、または該第2の板状部材及び該第2の板状部材上に高融点金属からなる錘部材とを載置し、昇温して、前記アルミニウム部材を融解し、該融解したアルミニウム中に、前記第1の板状部材から前記元素を溶解させるとともに前記シリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素を溶解させた後、降温して前記シリコンカーバイド基板表面上にアルミニウムを含むp型シリコンカーバイド層をエピタキシャル成長させることを特徴とするp型シリコンカーバイド層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 19/02 ,  C30B 29/36

FI (3件)：

H01L21/208 Z ,  C30B19/02 ,  C30B29/36 A

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077EC01 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA01 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA52 ,  4G077QA71 ,  5F053AA03 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053JJ01 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053469   出願人：株式会社東芝
• 電子線照射を用いたドーピング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-320673   出願人：株式会社デンソー, 和田隆夫