温度計測装置及びそれを使用する温度計測方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350248
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】真空又は減圧プラズマを使用する半導体装置の製造プロセスにおいて、ウエハの温度を直接計測することができ、且つ、プラズマによる高周波雑音及びプラズマ活性反応による発熱の影響を受けず、計測に際してパーティクル及び金属汚染を発生することなく、また、プロセス装置に特別な設備を設ける必要がない温度計測装置及びこれを使用する温度計測方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハからなる基材1上にポジ型フォトレジストからなり幅が200μm、長さが500μm、厚さが1000nmの直方体の薄膜構造体2を複数設け、基材1上には緩衝膜4を介して蓋体3を搭載する。蓋体3の裏面には薄膜構造体2に整合する位置に縦が3mm、横が3mm、深さが50μmの凹部3aを設ける。薄膜構造体2の形状は温度に依存して不可逆的に変化するため、薄膜構造体2の膜厚を測定することにより、温度を計測することができる。

請求項（抜粋）：

基材と、この基材上にポリマー材料により所定の形状に形成され前記形状が温度に依存して不可逆的に変化する薄膜と、を有し、前記薄膜の不可逆的な形状変化により前記基材が経験した温度が記録されることを特徴とする温度計測装置。

IPC (3件)：

G01K 11/06 , H01L 21/66 , G03F 7/26

FI (3件)：

G01K 11/06 C , H01L 21/66 T , G03F 7/26

Fターム (11件)：

2F056UZ05 , 2F056UZ10 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096LA16 , 2H096LA30 , 4M106AA01 , 4M106CA70 , 4M106DH14

引用特許：

審査官引用 (4件)

温度測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176677 出願人：東京エレクトロン株式会社
加熱装置,加熱装置の評価法及びパタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-081635 出願人：株式会社東芝
特開昭58-037529

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