特許
J-GLOBAL ID：200903008850564104

半導体発光素子および半導体装置

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について

, 
森 幸一

森 幸一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346132
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179532
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子および半導体装置の動作電圧を低減する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、p側電極20のコンタクト部に、このp側電極20側から順にp型の第1の層、例えばp型AlGaInN層14とn型の第2の層、例えばn型AlGaInN層13とp型の第3の層、例えばp型AlGaN/GaN超格子クラッド層12とからなるpnp構造を設ける。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、 第1導電型側の電極のコンタクト部が、この電極側から順に第1導電型の第1の層と第2導電型の第2の層と第1導電型の第3の層とからなる積層構造を有する ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S5/22 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01S5/22 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
Fターム (28件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)

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