化合物半導体の結晶成長方法および半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269145
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥が少ないIII-V族化合物半導体を提供すること【解決手段】 III-V族化合物を有する層7を含む、組成が異なる複数の層を有する半導体中の、該III-V族化合物を有する層7を形成する方法であって、III-V族化合物半導体7を結晶成長させる工程を包含し、ここで、該結晶成長初期におけるV族元素のモル流量が、通常成長時のV族元素のモル流量よりも大きい、方法。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物を有する層を含む、組成が異なる複数の層を有する半導体中の、該III-V族化合物を有する層を形成する方法であって、有機金属化学気相成長法によりIII-V族化合物半導体を結晶成長させる工程を包含し、ここで、結晶成長初期におけるV族元素のモル流量が、通常成長時のV族元素のモル流量よりも大きい、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 A

Fターム (21件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB11 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC20 , 5F045AD11 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045EE17 , 5F045EK27

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-071620
特開昭63-060197
化合物半導体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-271499 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平3-071620
特開平3-071620
特開昭63-060197

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