特許
J-GLOBAL ID：200903014179398725

半導体発光素子

発明者：
細羽 弘之

細羽 弘之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068797
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270752
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 発光部に効率良く電流を導くと共に、電流拡散層による光吸収や酸化、p型ドーパントの拡散等を防いで光の取り出し効率を高める。【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型クラッド層2、活性層3およびp型クラッド層4が設けられ、その中央部に電流阻止層6が設けられている。その上にAlを含まないか、またはAl組成が0より大で0.3以下で、活性層3よりもバンドギャップが大きい化合物半導体からなるp型電流拡散層7が設けられ、電流阻止層6と対向するようにp型電極11が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた、発光部を有する化合物半導体積層構造の上に部分的に電流阻止層が設けられ、該電流阻止層の上および該電流阻止層が形成されていない半導体積層構造部分の上にわたって、Alを含まないか、またはAl組成が0より大で0.3以下であり、該発光部よりもバンドギャップが大きい化合物半導体からなる電流拡散層が設けられ、さらに該電流拡散層の上に該電流阻止層と対向するように光取り出し側電極が設けられている半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 A
引用特許：
審査官引用 (6件)
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