特許
J-GLOBAL ID：200903008856926679
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122976
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103902
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】スーパージャンクション構造を有する半導体装置の高耐圧および低オン抵抗を実現する。【解決手段】ゲート電極が形成された素子形成領域54と、素子形成領域54の外周に形成されるとともにフィールド酸化膜46が形成された外周領域56と、を有する半導体基板58と、素子形成領域54および外周領域56の一部にかけて、半導体基板58の主面に形成されたn型ドリフト領域35およびp型コラム領域34,36が交互に配置された並列pn層40と、を含み、外周領域56において、フィールド酸化膜46の素子形成領域54側の端部64の直下にはp型コラム領域が形成されず、かつ、フィールド酸化膜46の下方には少なくとも一つのコラム領域としてp型コラム領域38が形成されていることを特徴としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極が形成された素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域が形成された外周領域と、を有する第一導電型の基板と、
前記素子形成領域および前記外周領域の一部にかけて、前記基板の主面に形成された第一導電型のドリフト領域および第二導電型のコラム領域が交互に配置された並列pn層と、
を含み、
前記外周領域において、前記素子分離領域の前記素子形成領域側の端部の直下および下方には前記コラム領域が形成されず、かつ、前記素子分離領域の下方には少なくとも一つのコラム領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652N
出願人引用 (1件)
-
半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-173991
出願人：富士電機ホールディングス株式会社
審査官引用 (5件)
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