特許
J-GLOBAL ID：200903063975872286

半導体装置及びその製造方法

発明者：
三浦 喜直

三浦 喜直 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430603
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191268
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 逆バイアス印加時のアバランシェ電流がゲート電極付近に集中してしまうことを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ドリフト領域102と、ドリフト領域102の上層部に形成されたベース領域108と、ベース領域108に形成されたソース領域109と、ゲート電極107A及びゲート絶縁膜106Aを備える。ドリフト領域102内におけるベース領域108下方の領域に形成されたコラム領域4を備える。コラム領域4が、深さ方向において複数の分割部分41、42に分離された分離構造をなしている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上に形成された一導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上層部に形成された逆導電型のベース領域と、前記ベース領域に形成された一導電型のソース領域と、ゲート電極及びゲート絶縁膜と、前記ドリフト領域内における前記ベース領域下方の領域に形成された逆導電型のコラム領域と、を備える半導体装置において、 前記コラム領域が、深さ方向において複数の分割部分に分離された分離構造をなしていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417
FI (7件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/265 F ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 658A
Fターム (15件)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD19 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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