特許
J-GLOBAL ID：200903008864016835
飛行時間型二次イオン質量分析法による素子の情報取得方法、および、情報取得装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
宮崎 昭夫
, 金田 暢之
, 伊藤 克博
, 石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-161862
公開番号（公開出願番号）：特開2004-085546
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】抵抗率が高い基板上に固定されている生体関連物質に関して、ある程度広い領域に関して、TOF-SIMS法を利用して、その二次元的な二次イオン測定画像を得る際、チャージアップの影響を抑制して、定量性の良好な二次元的な測定画像を得ることを可能とする測定方法を提供する。【解決手段】一次イオンビームをスポット照射する際、その照射スポットを、パルス的とし、さらに、非連続的なパターンで移行しつつ、二次イオン測定を進め、最終的に、前記非連続的なパターンに従って、二次イオン測定結果を二次元的なイメージ画像へと再構成することで、十分に高い位置分解能を有する二次元的なイメージ測定画像が得られる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
複数の物質が基板表面上に配置された素子の表面から、飛行時間型二次イオン質量分析法を用いて、情報取得する方法であって、
前記素子の表面上の被測定領域の面積と比較して、より小さい面積の被照射部とする一次イオンビームを、非連続的パターンでパルスとして前記素子の表面に照射する工程、
前記照射される一次イオンビームによって被照射部から発生する二次イオンを飛行時間的に質量分析する工程、および
前記質量分析で得られる二次イオンの分析結果を、前記一次イオンビームのパルス的照射のパターンに基づいて、二次元的情報に再構成する工程を、有することを特徴とする素子の情報取得方法。
IPC (5件)：
G01N23/225
, G01N27/62
, G01N33/483
, G01N33/53
, G01N33/566
G01N23/225
, G01N27/62 K
, G01N27/62 V
, G01N33/483 Z
, G01N33/53 M
, G01N33/566
2G001AA05
, 2G001AA10
, 2G001BA06
, 2G001CA05
, 2G001EA04
, 2G001GA02
, 2G001GA06
, 2G001KA01
, 2G001LA01
, 2G001MA05
, 2G001NA07
, 2G001NA12
, 2G001NA17
, 2G045BB14
, 2G045BB48
, 2G045DA13
, 2G045FA40
