特許

J-GLOBAL ID：200903008879727312

均一な厚さのトンネル膜を有するMTJ層を含む磁気抵抗メモリ及びその製造方法

発明者： 朴 祥 珍 ,  金 泰 完
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276730
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109477
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 均一な厚さのトンネル膜を有するMTJ層を含む磁気RAM及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一つのトランジスタとこれに連結された一つのMTJ層でメモリセルが構成されるMRAMにおいて、前記MTJ層は下部電極、下部磁性膜、屈曲なく均一な厚さを有するトンネル膜、及び上部磁性膜を含むが、前記下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極からなることを特徴とするMRAM及びその製造方法。ここで、下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極とからなることができる。また、下部電極と下部磁性膜との間には非晶質の平坦化膜がさらに備えられうる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

一つのトランジスタとこれに連結された一つのMTJ層とでメモリセルが構成される磁気抵抗メモリにおいて、 前記MTJ層は、下部電極、下部磁性膜、屈曲なく均一な厚さを有するトンネル膜、及び上部磁性膜を含み、 前記下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極とからなることを特徴とする磁気抵抗メモリ。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁場応答が改良された磁気素子とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-317501   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-001189   出願人：シャープ株式会社
• 磁気記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-009514   出願人：ソニー株式会社