半導体集積回路の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135071
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015429
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 SCALPELシステムにおける電子ビーム源の効率および均一性を改善する。【解決手段】電子ビームの均一性を改善するためにウェーネルト電子銃を改良することからなる電子ビームリソグラフィー方法及び装置により前記課題は解決される。ウェーネルト開口におけるバイアスを従来のバイアスと逆にし、それによりウェーネルト開口に、陰極に対して正のバイアスをかける。ウェーネルト開口はテーパが付けられ、このテーパ内にディスクエミッタが挿入される。これらの改良の結果、ビームの横断面が均一である低輝度の電子ビーム出力が得られる。

請求項（抜粋）：

レンズ・システムを使用して、パターン化した電子ビームをレジスト被覆半導体ウエハの表面に投射する少なくとも1つのリソグラフィステップからなり、(a)(i)リソグラフィ・マスク、および(ii)前記電子ビームの電子を殆ど透過させない後部焦点面フィルタ、を順次通して、前記電子ビームを前記レジスト被覆半導体ウエハ上へ投射するステップを有する半導体集積回路の製造方法であり、該方法は、前記電子ビームが電子銃によって発生され、前記電子銃が、(b)前記電子ビームが前記電子エミッタから前記陽極に流れるために、電子エミッタと、該電子エミッタから離隔された陽極との間にバイアスを確立し、ここで、前記電子銃は前記電子エミッタの周囲にウェーネルト開口を更に有する、(c)前記ウェーネルト開口が正にバイアスされるように、前記ウェーネルト開口と前記陽極との間にバイアスを確立することにより動作されることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01J 37/06 , H01J 37/305

FI (6件)：

H01L 21/30 541 B , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01J 37/06 Z , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

リソグラフィプロセスを含むデバイス作製
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173510 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
電子銃
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287113 出願人：株式会社ニコン
特開昭61-225747

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審査官引用 (4件)

リソグラフィプロセスを含むデバイス作製
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173510 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
電子銃
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287113 出願人：株式会社ニコン
特開昭61-225747

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