特許

J-GLOBAL ID：200903008901299079

シリコンカーバイド半導体装置の製造方法

発明者： 中川 敦 ,  本田 弘毅
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010266
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217129
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 不活性ガス雰囲気中で熱処理する通常の熱処理装置を用いて、優れた特性のニッケル金属からなるオーミック電極を形成する方法を提供する。【解決手段】 シリコンカーバイド半導体の所定の領域にニッケル膜を形成し、少なくともこのニッケル膜表面を高融点金属、高融点金属の硅化物、高融点金属の窒化膜、高融点金属の炭化物、高融点金属の硼化物のいずれかを含む膜により被覆した後、熱処理し、シリコンカーバイド基板にオーミック接触する電極を形成することで、コンタクト抵抗の小さいオーミック電極を形成することができる。また、上記方法によりソース電極、ドレイン電極を形成することで、高周波特性に優れたFETを形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド半導体の所定の領域にニッケル膜を形成し、少なくとも該ニッケル膜表面を高融点金属、高融点金属の硅化物、高融点金属の窒化膜、高融点金属の炭化物、高融点金属の硼化物のいずれかを含む膜により被覆した後、熱処理することで、前記シリコンカーバイド基板にオーミック接触する電極を形成することを特徴とするシリコンカーバイド半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/80 F

Fターム (16件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD80 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263506   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-085972
  
• 高周波用の自己アライメント式電界効果トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-510350   出願人：クリー・リサーチ,インコーポレイテッド